Вторая очередь Учебно-методического центра литографии и микроскопии

27 февраля 2019 года декану физического факультета профессору Николаю Николаевичу Сысоеву заведующим кафедрой физики полупроводников и криоэлектроники профессором Олегом Васильевичем Снигиревым была представлена введенная в эксплуатацию вторая очередь Учебно-методического центра литографии и микроскопии.

Напомним, что «Учебно-методический центр литографии и микроскопии» был создан в помещении Ц-34а Физического факультета МГУ в соответствии с подписанным 23 января 2014 года Соглашением о сотрудничестве между Физическим факультетом Московского Государственного Университета имени М.В. Ломоносова, ООО «ОПТЭК» и концерном Carl Zeiss Microscopy GmbH. Открытие первой очереди Центра состоялось 6 июля 2016 года. В торжественном мероприятии на физическом факультете приняли участие ректор МГУ академик Виктор Антонович Садовничий и декан физического факультета Николай Николаевич Сысоев.

Запуск второй очереди Центра позволяет решать важнейшие задачи современной наноэлектроники, оптики метаматериалов, квантовых коммуникаций, выполняемые подразделениями факультета, такими, например, как кафедра физики полупроводников и криоэлектроники, кафедра квантовой электроники и недавно созданный Центр Квантовых Технологий. Оборудование центра, закупленное по программе научного развития МГУ, включает: автоэмиссионный растровый электронный микроскоп Supra 40 (Carl Zeiss); систему электронной литографии Elphy Quantum (Raith); ламинарно-вытяжные шкафы для работы с органической и неорганической химией Felcon, оснащенные центрифугами, печками, ультразвуковыми ваннами, термостатами; оптические микроскопы высокого разрешения (Axio Imager, Stemi); систему очистки воды Milli Q; генератор чистого азота Peak Scientific; систему экспонирования в глубоком ультрафиолетовом излучении Abet Technologies; вычислительный управляющий сервер.

В Учебно-методическом центре литографии и микроскопии проводятся научные исследования по самым разным направлениям, из которых можно выделить «одноатомные одноэлектронные структуры на основе примесных атомов в твердом теле», «высокочувствительные сенсоры для исследования биоспецифических взаимодействий на основе полевых транзисторов с каналом-нанопроводом», «наноэлектромеханические системы», «локальный полевой сенсор на основе полупроводникового нанопровода». По результатам работы центра за 3 года было опубликовано более 40 статей, из них 15 статей в высокорейтинговых журналах. На сегодняшний день помещения Центра являются первыми в Московском университете помещениями, сертифицированными по классам чистоты ISO 6,7,8 для работ в области наноэлектроники. Полученный при строительстве опыт будет применён при реализации проекта научно-технологической долины МГУ.

Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп Supra 40 (Carl Zeiss), Получение изображений во вторичных и упруго рассеянных электронах (детекторы In Lens, SE и AsB), Пространственное разрешение 1.5 нм при ускоряющем напряжении 15 кВ. Система электронной литографии Elphy Quantum (Raith) — 16-битный аппаратный модуль, позволяющий работать на скоростях цифро-аналоговых преобразователей вплоть до 6 МГц.

Ламинарно-вытяжные шкафы для работы с органической (справа) и неорганической (слева) химией Felcon 880F. Предустановленное оборудование: центрифуга для нанесения фото- и электронных резистов Easyline EL, печка для сушки образцов Solar-Semi, стереомикроскоп Stemi 508 на гибкой настольной подставке, ультразвуковая ванна Ultrawave IND, термо-стабилизированная ванна Betta-Tech CU. В шкафах осуществлена подача особо чистой воды от системы Milli Q

Универсальный исследовательский цифровой микроскоп для исследования в отраженном свете Axio Imager A2m Carl Zeiss. Методы исследования светлое поле, темное поле, поляризационный контраст, дифференциально-интерференционный контраст.

На открытии второй очереди Учебно-методического центра литографии и микроскопии. Сотрудники учебно-методического центра литографии и микроскопии д.ф.-м.н В.А. Крупенин, к.ф.-м.н., доцент В.В. Шорохов, к.ф.-м.н. Д.Е. Преснов.

Заведующий кафедрой физики

полупроводников и криоэлектроники

профессор О.В. Снигирев