EN

Заведующий кафедрой
профессор Снигирев Олег Васильевич

Кафедра физики полупроводников была образована на физическом факультете МГУ им. М.В. Ломоносова в 1953 г., в год открытия новых зданий университета на Ленинских горах. Это был период бурного развития физики полупроводников, мощным импульсом к которому послужило открытие транзисторов. Основателем и первым заведующим кафедрой был профессор Сергей Григорьевич Калашников — выдающийся ученый, блестящий лектор, внесший крупный вклад в различные области физики. С.Г. Калашников создал оригинальный фундаментальный курс физики полупроводников, под его руководством была разработана система специальных курсов по полупроводниковым дисциплинам, создан специальный практикум по физике полупроводников. Кафедра стала одним из ведущих учебных центров, а организация подготовки специалистов по физике полупроводников послужила образцом для многих других вузов нашей страны.

Наряду с организацией обучения студентов, на кафедре с самого ее основания широко развивались научные исследования. Одной из важнейших научных проблем в 50—60-е годы было исследование примесей в германии и кремнии. Работы по росту и исследованию чистых монокристаллов полупроводников, по влиянию различных примесей на электрические свойства и рекомбинацию носителей тока (В.Г. Алексеева, Я.Е. Покровский, В.В.  Остробородова, К.П. Тиссен, В.Д. Егоров, Н.Д. Тяпкина) сыграли большую роль в понимании физических процессов в кристаллических полупроводниках и использовались при разработке полупроводниковых приборов. В этот период на кафедре проводились и исследования поверхностных свойств полупроводников (А.Э. Юнович). С.Г. Калашников, Н.А. Пенин и В.Г. Алексеева стали лауреатами Сталинской премии за разработки СВЧ детекторов для радиолокации. Я.Е. Покровский продолжил свои работы в Институте радиотехники и электроники, стал руководителем лаборатории, членом-корреспондентом АН и был удостоен премии Европейского Физического общества. Работы И.А. Куровой и С.Г. Калашникова по свойствам германия с примесью золота привели к открытию доменной неустойчивости в полупроводниках в сильных электрических полях.

Практически с самого основания кафедры параллельно с экспериментальными работами развивались и теоретические исследования. Их возглавил В.Л. Бонч-Бруевич, крупный физик-теоретик, которому принадлежит ряд фундаментальных результатов по многочастичной теории полупроводников, теории сильно легированных и аморфных полупроводников, а также по электрическим неустойчивостям в полупроводниках. Организованный им теоретический семинар привлекал талантливых молодых ученых, в нем работали такие ныне широко известные ученые, как Ю.В. Гуляев, Р.А. Сурис, А.Г. Хачатурян, Э.Л.  Нагаев, П.Е. Зильберман, В.Б. Сандомирский. Результаты плодотворного сотрудничества теоретиков и экспериментаторов в исследовании электрической доменной неустойчивости были отмечены Ломоносовской премией (И.А. Курова, В.Л. Бонч-Бруевич).

В 1961 г. заведующим кафедрой стал В.С. Вавилов, который возглавлял кафедру до 1991 г. В.С. Вавилов — крупный ученый; совместно с К.И. Брицыным им был впервые экспериментально обнаружен эффект Келдыша—Франца. Под руководством В.С. Вавилова на кафедре проводились исследования по действию излучений на полупроводники; совместно с сотрудниками им было обнаружено залечивающее действие лития на радиационные дефекты, созданные жесткими излучениями в фотоприемниках и солнечных батареях. В.С. Вавилову была присуждена золотая медаль им. П.Н. Лебедева Академии наук и он был дважды удостоен Государственной премии.

Кафедре физики полупроводников --
50 лет (2003 год)ю

 

С 1991 года кафедру физики полупроводников возглавляет профессор Владимир Самсонович Днепровский, крупный специалист в области нелинейной оптики и лазерной спектроскопии полупроводников и полупроводниковых наноструктур. Научные исследования и подготовка специалистов в этой области проводятся на базе лаборатории полупроводниковой оптоэлектроники. Им и его сотрудниками были впервые обнаружены усиление и лазерная генерация в полупроводниковых квантовых точках, экситоны с большой энергией связи в полупроводниковых квантовых нитях с диэлектрическими барьерами.

Кафедра имеет тесные связи со многими институтами Академии наук: ИРЭ, ФИАН им.  П.Н. Лебедева, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ИПАН Украины, ИП СО АН. Ведущие институты электронной и оборонной промышленности (НИИ-135 — «Пульсар», НИИ-108, НИИ-311  — «Сапфир», Центр в Зеленограде, ГИРЕДМЕТ) пополняли свои кадры выпускниками кафедры. Кафедра готовила научные и педагогические кадры и поддерживала связи с учеными всех республик Союза.

Кафедра сыграла большую роль в обеспечении студентов, специализирующихся по физике полупроводников, учебниками и учебными пособиями. Отметим, в частности, фундаментальный учебник «Физика полупроводников» В.Л. Бонч-Бруевича и С.Г. Калашникова, учебные пособия В.С. Вавилова, в том числе «Действие излучений на полупроводники», книгу В.Л. Бонч-Бруевича, И.П. Звягина, А.Г. Миронова и группы физиков Берлинского Университета им. Гумбольдта «Электронная теория неупорядоченных полупроводников», учебные пособия по полупроводниковым материалам (В.В. Остробородова, И.А. Случинская), по оптическим явлениям в полупроводниках (А.Э. Юнович). Выдержали несколько изданий учебные пособия по спецпрактикуму (В.В. Остробородова, В.Д. Егоров, А.Э. Юнович). Был написан сборник задач по физике полупроводников (В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов, И.В. Карпенко).