9-ая Всероссийская конференция 
«Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы»

13-15 июня 2013 г. на Физическом факультете МГУ имени М.В. Ломоносова, со­стоялась 9-я Всероссийская Конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы». Конференция была организована Физическим факультетом вместе с Физико-Техническим Институтом им. А.Ф. Иоффе РАН. Председателем Орг. Комитета Конференции был зам. декана факультета проф. А.А. Федянин.

Конференция продолжила традицию предыдущих совещаний и конференций, проводившихся поочередно в Москве и в Санкт-Петербурге с 1997 года. Работы по нитридам в России возобновились в 1996 г., когда японскими учеными был сделан прорыв в создании эффективных синих светодиодов на основе GaN. Тогда исследования велись преимущественно в ФТИ им. А.Ф. Иоффе и на физическом факультете МГУ, эти исследовательские группы поддерживали постоянную связь, а также принимали участие в семинарах и конференциях, проводившихся за рубе­жом. С 2001 года совещания приобрели статус Всероссийских конференций. Они проводятся, по традиции, попеременно, в МГУ и ФТИ, в них принимают участие более 60 отечественных организаций, ученые из 8 зарубежных стран, число их участников превысило 200, число устных и стендовых докладов превысило 120. Конференцию финансово и технически поддержали РФФИ и 10 других организа­ций и компаний.

В 2007–2009 годах в России были анонсированы как государственные, так и муниципальные, и ведомственные, программы инновационного развития, в кото­рые входили и работы, связанные с нитридной тематикой. Корпорации «Роснано» и «Ростехнологии» стали финансировать работы по разработкам и производству светодиодов на основе GaN. Российский Фонд Фундаментальных Исследований активно поддерживал исследования по нитридам в академических организациях. Министерство Энергетики включило работы по светодиодному освещению как приоритетные для экономии электроэнергии. ОАО РЖД составило программу внедрения светодиодной техники на российских железных дорогах, успешно вы­полняемую в течение 4 лет. Оборонные предприятия стали разрабатывать устрой­ства с применением мощных СВЧ транзисторов на основе GaN.

С этими событиями (как и с взлетом фундаментальных и прикладных исследо­ваний нитридных полупроводников и их промышленного использования во всем мире!) естественно было связано развитие этой тематики в нашей стране. За два года, прошедшие с предыдущей, 8-ой Всероссийской Конференции (Санкт-Петербург, май 2011 г.) исследования и разработки нитридных полупроводников, структур и приборов на их основе в России существенно продвинулись. Сессии, посвященные фундаментальным научным проблемам, в очередной раз продемонстрировали су­щественный вклад отечественной науки в мировой научный процесс.

На 9-й Конференции были доложены новые работы по технологии роста свето­диодных структур методами метало — органической эпитаксии для сине-зеленой области спектра (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, «Светлана-Оптоэлектроника» и фирма «Тетис», фирма «Оптоган»), теории и компьютерных программ расчета этих структур (фирма «Софт-Импакт», С.-Петербург). Внешний квантовый выход из­лучения светодиодов в синей области достиг 60% (доклад Д.А. Закгейма и Д.А. Ба­умана, «Светлана-Оптоэлектроника»). Эта технология успешно разрабатывается в компании «Светлана-Рост» (С.-Петербург), в фирме «Элма-Лаб» (Зеленоград), в Институте Полупроводников Сибирского Отделения РАН для СВЧ транзисторов с высокой подвижностью, работы которых были доложены на Конференции.

Были доложены работы по выращиванию объемных кристаллов AlN и GaN, сулящие перспективы для эпитаксиальных подложек, которые существенно улуч­шают кристаллическое совершенство гетероструктур. Очень интересные обзоры по УФ лазерам на основе AlGaN были представлены в приглашенных докладах П. Перлина (Институт Физики Польской АН) и Е.В. Луценко (Институт Физики Беларуси).

На Конференции были представлены исследования по гетероструктурам для ультрафиолетовой области спектра, росту этих структур методами молекулярно-лучевой эпитаксии, разработки УФ лазеров, светодиодов и солнечно-слепых фо­топриемников (группа С.В. Иванова и В.Н. Жмерика в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, гру­паа К.С. Журавлева в ИФП СО РАН). Эти работы находятся на международном уровне. Также на высоком уровне были доклады по твердым растворам InGaN, близким к InN, которые нетривиальным образом могут быть применены в солнеч­ных фотоэлементах.

Среди работ по исследованию мощных эффективных светодиодов белого све­чения следует отметить работу фирмы «Оптэл», сделанную совместно с группой А.Н. Туркина (физический факультет МГУ).

Наше научное сообщество уже 15 лет, начиная с первых Совещаний и Кон­ференций, обращалось в Правительство РФ, в профильные Министерства, в На­учный Совет при Президенте РФ, — с решениями Конференций и письмами, призывающими к созданию государственной программы развития светодиодной промышленности и светодиодного освещения. Эти письма сыграли свою роль в инициировании событий 2007–2009 гг., о которых было сказано выше. И на 9-й Конференции, по традиции, был организован «Круглый стол» по проблемам про­мышленного применения технологий нитридных полупроводников в России.

Заседание Круглого Стола по проблемам промышленного применения технологий нитридных полупроводников в России: Д.А. Бауман (ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника»), Е.В. Долин (Некоммерческое партнерство Производителей Светодиодов), Г.В. Иткинсон (ЗАО «Тетис»), В.А. Буробин (ОАО «Государственный Завод «Пульсар»), В.М. Устинов (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН)

Научные исследования и технологические разработки нитридных полупро­водников, структур и приборов на их основе создают прочный фундамент для отечественной светодиодной промышленности и энергосберегающего светодиод­ного освещения. Однако, комплексная государственная программа их развития в России до сего времени не принята. Организаторы Конференции направили приглашения руководителям корпораций, министерств и ведомств прислать сво­их представителей на «Круглый Стол». Участвовал в нем только представитель «Российской Электроники» (А.М. Кочнев, заместитель Генерального Директора). Приглашение было также направлено руководителям крупных российских фирм («Эпи-центр», НИИ «Платан», «ОПТЭЛ», «Светлана-рост», «НИИ Полупрово­дниковых приборов», «Оптоган», «Тетис»), производящих светодиоды. Руководи­тели фирм активно участвовали в обсуждении проблем за «Круглым Столом». В дискуссии промышленники призывали академические институты и университе­ты давать научные рекомендации и разработки, подкрепленные патентами на ин­теллектуальную собственность. Они жаловались на конкуренцию иностранных (в частности, дешевых китайских) производителей, в которой государство долж­но помочь отечественным производителям. Было сказано, что чисто рыночные условия не могут способствовать развитию высокотехнологической части отече­ственной светодиодной промышленности, но обусловливают быстрое и широкое применение светодиодного освещения в России за счет импорта светодиодов. Академические участники предлагали промышленникам давать заказы на иссле­дования и разработки, подкрепленные финансовыми договорами.

Важно, что нитридные технологии не ограничиваются только светодиодной промышленностью, нитридные полупроводники — это новый раздел всей элек­троники, и оптоэлектроники, и СВЧ техники, и силовой электроники. Не только экономическое и социальное развитие, не только рынок, но и оборонные пробле­мы страны требуют единой государственной программы. Нужно серьезное целе­вое финансирование конкретных групп и лабораторий в связке с промышленными предприятиями; нужна закупка современных нитридных заводов со стандартной технологией, где можно будет внедрить отечественные разработки.

Несмотря на существующие проблемы, участники конференции выразили уверенность в том, что Всероссийские Конференции по нитридам способствуют дальнейшему развитию научных исследований по этой тематике в России, вос­становлению отечественной светодиодной промышленности, внедрению свето­диодных технологий в освещение. Итоги обсуждения за «Круглым Столом» будут доведены до сведения корпораций, министерств и ведомств.

Обсуждение участниками конференции докладов стендовой сессии

10-я Всероссийская Конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия: струк­туры и приборы» предполагается в 2015 году в Санкт-Петербурге.

Зам. Председателя Оргкомитета Конференции 

А.Н. Туркин, 

Председатель Программного Комитета 

А.Э. Юнович